06/12 é a data-limite para inscrição (imagem: Departamento de Física, IGCE-Unesp Rio Claro)
Oportunidade exige experiência comprovada em síntese de materiais híbridos, em processos de fabricação de dispositivos e técnicas avançadas de caracterização
Oportunidade exige experiência comprovada em síntese de materiais híbridos, em processos de fabricação de dispositivos e técnicas avançadas de caracterização
06/12 é a data-limite para inscrição (imagem: Departamento de Física, IGCE-Unesp Rio Claro)
Agência FAPESP – O Projeto Temático “Design de materiais: dos materiais quânticos às aplicações em energia” oferece uma oportunidade de pós-doutorado em optoeletrônica com bolsa da FAPESP. O prazo de inscrição se encerra no sábado (06/12).
As atividades do projeto são exercidas no Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IF-USP). Contudo, o bolsista desenvolverá pesquisa no Departamento de Física da Universidade Estadual Paulista (Unesp), campus de Rio Claro.
O candidato deve ter experiência comprovada em síntese de materiais híbridos, em processos de fabricação de dispositivos, técnicas avançadas de caracterização, incluindo AFM e KPFM, sendo a experiência em SKPM considerada altamente vantajosa.
Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: www.fapesp.br/oportunidades/8714/.
A oportunidade de pós-doutorado está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.570,00 mensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista de PD resida em domicílio fora da cidade na qual se localiza a instituição-sede da pesquisa e precise se mudar, poderá ter direito a um auxílio-instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.fapesp.br/bolsas/pd.
Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.fapesp.br/oportunidades.
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