O CPE-Flymov tem sede no Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA), em São José dos Campos (foto: Eduardo Cesar/Pesquisa FAPESP)
Requisitos da vaga incluem doutorado em engenharia elétrica e conhecimento avançado e comprovado no software CST Studio Suite
Requisitos da vaga incluem doutorado em engenharia elétrica e conhecimento avançado e comprovado no software CST Studio Suite
O CPE-Flymov tem sede no Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA), em São José dos Campos (foto: Eduardo Cesar/Pesquisa FAPESP)
Agência FAPESP – O Centro de Pesquisa em Engenharia para a Mobilidade Aérea do Futuro (CPE-Flymov) recebe inscrição até 28 de janeiro para uma oportunidade de pós-doutorado em compatibilidade eletromagnética com bolsa da FAPESP.
Sediado no Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA), em São José dos Campos, o Flymov é um Centro de Pesquisa em Engenharia (CPE) constituído pela FAPESP em parceria com a Embraer.
O candidato deve ter doutorado em engenharia elétrica, título de doutor obtido há menos de sete anos, conhecimento avançado e comprovado no software CST Studio Suite, experiência em modelagem computacional e desenvolvimento de modelos matemáticos, com foco em compatibilidade eletromagnética, e sólido histórico de publicações.
Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: www.fapesp.br/oportunidades/7667/.
A oportunidade de pós-doutorado está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 12.000,00 mensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista de PD resida em domicílio fora da cidade na qual se localiza a instituição-sede da pesquisa e precise se mudar, poderá ter direito a um auxílio-instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.fapesp.br/bolsas/pd.
Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.fapesp.br/oportunidades.
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