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Agência FAPESP* –Agência FAPESP - A barreira de funcionamento dos transistores feitos à base de silício-germânio está mais longe do que se imaginava. Equipes da IBM e do Instituto de Tecnologia da Geórgia, nos Estados Unidos, acabam de mostrar que um dispositivo eletrônico de silício-germânio pode operar a uma freqüência maior do que 500 gigahertz (GHz), ou 500 bilhões de ciclos por segundo.

Esses circuitos desenvolvidos para ultrafreqüências oferecem a possibilidade de apresentar as mais variadas aplicações e, por isso, estão sendo tão buscados pelos cientistas. Quando totalmente desenvolvidos, poderão ser usados em sistemas como de comunicação, defesa, sensoriamento remoto ou espaciais.  

Além do notável rendimento, o dispositivo que acaba de ser apresentado é também mais econômico do que soluções anteriores. Para chegar aos 500 GHZ, os cientistas tiveram que baixar a temperatura do sistema a 4,5 graus Kelvin (268,65 graus Celsius negativos). Quando o experimento foi feito à temperatura ambiente, o rendimento caiu para 350 GHz.

O avanço que acaba de ser alcançado é bastante significativo. Os transistores fabricados apenas a partir do silício, elemento mais utilizado nos semicondutores, não conseguem operar em freqüências superiores a 60 GHz. Por conta dessa limitação, diversos grupos de pesquisa estão trabalhando com materiais alternativos, como o silício-germânio ou arseneto de gálio, para produzir dispositivos eletrônicos que possam funcionar em freqüências elevadas. Uma vantagem do silício-germânio é o menor custo.

<b>Agência FAPESP</b> - A barreira de funcionamento dos transistores feitos à base de silício-germânio está mais longe do que se imaginava. Equipes da IBM e do Instituto de Tecnologia da Geórgia, nos Estados Unidos, acabam de mostrar que um dispositivo eletrônico de silício-germânio pode operar a uma freqüência maior do que 500 gigahertz (GHz), ou 500 bilhões de ciclos por segundo.
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Esses circuitos desenvolvidos para ultrafreqüências oferecem a possibilidade de apresentar as mais variadas aplicações e, por isso, estão sendo tão buscados pelos cientistas. Quando totalmente desenvolvidos, poderão ser usados em sistemas como de comunicação, defesa, sensoriamento remoto ou espaciais.  
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Além do notável rendimento, o dispositivo que acaba de ser apresentado é também mais econômico do que soluções anteriores. Para chegar aos 500 GHZ, os cientistas tiveram que baixar a temperatura do sistema a 4,5 graus Kelvin (268,65 graus Celsius negativos). Quando o experimento foi feito à temperatura ambiente, o rendimento caiu para 350 GHz.
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O avanço que acaba de ser alcançado é bastante significativo. Os transistores fabricados apenas a partir do silício, elemento mais utilizado nos semicondutores, não conseguem operar em freqüências superiores a 60 GHz. Por conta dessa limitação, diversos grupos de pesquisa estão trabalhando com materiais alternativos, como o silício-germânio ou arseneto de gálio, para produzir dispositivos eletrônicos que possam funcionar em freqüências elevadas. Uma vantagem do silício-germânio é o menor custo. 
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