Doutorado direto em física na USP de São Carlos

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Agência FAPESP* –Agência FAPESP – Uma vaga de doutorado direto em física e engenharia fotônica com bolsa da FAPESP está disponível pelo projeto de Auxílio à Pesquisa para Jovem Pesquisador “Integração de dispositivos fotônicos-plasmônicos”. O prazo de inscrição termina em 1º de outubro.

O projeto é conduzido no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP) e desenvolve nanodispositivos integrados fotônicos-plasmônicos sobre a plataforma de silício e silicon-on-insulator.

A pesquisa foca na fabricação de nanolasers integrados sobre substrato de silício. O início ideal da bolsa de doutorado direto seria no segundo semestre de 2025, mas o primeiro semestre de 2026 também é aceitável.

Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: www.fapesp.br/oportunidades/8530/.

A Bolsa de Doutorado Direto fornecida pela FAPESP tem duração de 48 meses e valor mensal de R$ 5.790,00 no primeiro e segundo ano e R$ 7.140,00 no terceiro e quarto ano. Um auxílio financeiro equivalente a 30% do valor anual da bolsa será concedido para despesas diretamente relacionadas às atividades de pesquisa. Os requisitos e benefícios estão disponíveis em fapesp.br/bolsas/dd.

Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.fapesp.br/oportunidades.

<p><strong>Agência FAPESP</strong> – Uma vaga de doutorado direto em física e engenharia fotônica com bolsa da FAPESP está disponível pelo projeto de Auxílio à Pesquisa para Jovem Pesquisador “<strong><a href="https://bv.fapesp.br/pt/auxilios/117425/" target="_blank">Integração de dispositivos fotônicos-plasmônicos</a></strong>”. O prazo de inscrição termina em 1º de outubro.</p>

<p>O projeto é conduzido no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP) e desenvolve nanodispositivos integrados fotônicos-plasmônicos sobre a plataforma de silício e <em>silicon-on-insulator</em>.</p>

<p>A pesquisa foca na fabricação de nanolasers integrados sobre substrato de silício. O início ideal da bolsa de doutorado direto seria no segundo semestre de 2025, mas o primeiro semestre de 2026 também é aceitável.</p>

<p>Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: <strong><a href="http://www.fapesp.br/oportunidades/8530/" target="_blank">www.fapesp.br/oportunidades/8530/</a></strong>.</p>

<p>A Bolsa de Doutorado Direto fornecida pela FAPESP tem duração de 48 meses e valor mensal de R$ 5.790,00 no primeiro e segundo ano e R$ 7.140,00 no terceiro e quarto ano. Um auxílio financeiro equivalente a 30% do valor anual da bolsa será concedido para despesas diretamente relacionadas às atividades de pesquisa. Os requisitos e benefícios estão disponíveis em <strong><a href="http://fapesp.br/bolsas/dd" target="_blank">fapesp.br/bolsas/dd</a></strong>.</p>

<p>Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em <strong><a href="http://www.fapesp.br/oportunidades" target="_blank">www.fapesp.br/oportunidades</a></strong>.<br />
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