Trabalho conduzido no Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais da UFSCar teve como foco o dióxido de estanho, composto que tem aplicações tecnológicas que vão desde sensores até a geração e o armazenamento de energia (imagem: CDMF/divulgação)
Estudo explora como modular as propriedades de material semicondutor por meio de alterações morfológicas
23 de março de 2023
Trabalho conduzido no Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais da UFSCar teve como foco o dióxido de estanho, composto que tem aplicações tecnológicas que vão desde sensores até a geração e o armazenamento de energia
Estudo explora como modular as propriedades de material semicondutor por meio de alterações morfológicas
Trabalho conduzido no Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais da UFSCar teve como foco o dióxido de estanho, composto que tem aplicações tecnológicas que vão desde sensores até a geração e o armazenamento de energia
23 de março de 2023
Trabalho conduzido no Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais da UFSCar teve como foco o dióxido de estanho, composto que tem aplicações tecnológicas que vão desde sensores até a geração e o armazenamento de energia (imagem: CDMF/divulgação)
Agência FAPESP* – O dióxido de estanho (SnO2) é um material semicondutor com aplicações tecnológicas que vão desde sensores até a geração e o armazenamento de energia.
Em estudo “publicado” na revista Applied Surface Science, um grupo de pesquisadores brasileiros tratou de como modular as propriedades de superfície do material – de acordo com a aplicação desejada – por meio de alterações em sua morfologia.
O grupo utilizou simulações e cálculos de superfície associados à construção de Wulff, método aplicado para determinar a forma de equilíbrio de um cristal.
A pesquisa foi conduzida no âmbito do Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (CDMF), um Centro de Pesquisa, Inovação e Difusão (CEPID) da FAPESP sediado na Universidade Federal de São Carlos (UFSCar).
Amanda F. Gouveia, primeira autora do artigo, conta que por meio dessa investigação foi possível propor um caminho da reação, ao longo do processo de síntese do material, em que são conectadas diferentes morfologias. Também foi possível construir o mapa completo das morfologias disponíveis de SnO2, investigando a estabilidade da superfície em cada caso.
“Tal achado nos dá um norte para melhor entender e explicar as propriedades dos materiais. Além disso, essa ferramenta teórica pode ser utilizada pelos pesquisadores experimentais, uma vez que podem utilizar o microscópio de varredura e encontrar a mesma morfologia experimental”, explica Gouveia. Ela contou também que cada material pode apresentar diferentes morfologias, compostas por diferentes superfícies com diferentes agrupamentos de átomos, resultando em uma densidade eletrônica distinta em cada cristal. A partir desse novo desenvolvimento, as propriedades dos materiais podem ser mais bem compreendidas.
O artigo The hinge morphology of SnO2 as multifunctional semiconductor: What we can learn from simulations, theory, and experiments pode ser lido em: www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433223005809.
* Com informações do CDMF, um Centro de Pesquisa, Inovação e Difusão da FAPESP.
Republicar
Republicar
A Agência FAPESP licencia notícias via Creative Commons (CC-BY-NC-ND) para que possam ser republicadas gratuitamente e de forma simples por outros veículos digitais ou impressos. A Agência FAPESP deve ser creditada como a fonte do conteúdo que está sendo republicado e o nome do repórter (quando houver) deve ser atribuído. O uso do botão HMTL abaixo permite o atendimento a essas normas, detalhadas na Política de Republicação Digital FAPESP.