Doutorado em Engenharia Elétrica com Bolsa FAPESP | AGÊNCIA FAPESP

Projeto no Centro de Bionanomanufatura do IPT envolve as áreas de Microfabricação, Engenharia Elétrica e Física (foto: IPT)

Doutorado em Engenharia Elétrica com Bolsa FAPESP

18 de janeiro de 2019

Agência FAPESP – O “Plano de desenvolvimento institucional na área de transformação digital: manufatura avançada e cidades inteligentes e sustentáveis”, coordenado pela professora Zehbour Panossian, oferece uma oportunidade de doutorado no Centro de Bionanomanufatura do Instituto de Pesquisas Tecnológicas (IPT). A inscrição deve ser feita até dia 31 de janeiro de 2019.

O doutorando trabalhará em processos de microfabricação para sensores, atuadores e desenvolvimento de dispositivos acelerômetros capacitivos (MEMS). Entre as atividades do bolsista estão o desenvolvimento de processos para fabricação de sensores, atuadores e dispositivos MEMS; o desenvolvimento de procedimentos para caracterização de dispositivos; e a redação de relatórios e documentação associada ao projeto.

O candidato deve ter graduação e/ou mestrado em Engenharia Eletrotécnica, Engenharia Mecânica, Física, ou áreas afins. São desejáveis experiência em microfabricação em sala limpa e experiência em processamento de gravação a plasma, especialmente no processo de corrosão Bosch. Além disso, exigem-se para a vaga entendimento completo da tecnologia de processamento de semicondutores, compreensão dos princípios fundamentais da atuação e detecção para MEMS e familiaridade com as técnicas de caracterização de materiais.

As inscrições podem ser feitas com Mário Ricardo Gongora-Rubio (gongoram@ipt.br).

Mais informações sobre a vaga: www.fapesp.br/oportunidades/2503.

A bolsa tem duração de quatro anos, com valor de R$ 3.626,10. Mais informações sobre a Bolsa de Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.fapesp.br/bolsas/dr.

Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.fapesp.br/oportunidades.
 

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