Projeto de pesquisa para desenvolvimento de nanomateriais semicondutores com aplicação em sensoriamento ambiental recebe inscrições até 10 de novembro (foto: CDMF)

Pós-doutorado em Engenharia de Materiais com Bolsa da FAPESP
01 de novembro de 2017

Projeto de pesquisa para desenvolvimento de nanomateriais semicondutores com aplicação em sensoriamento ambiental recebe inscrições até 10 de novembro

Pós-doutorado em Engenharia de Materiais com Bolsa da FAPESP

Projeto de pesquisa para desenvolvimento de nanomateriais semicondutores com aplicação em sensoriamento ambiental recebe inscrições até 10 de novembro

01 de novembro de 2017

Projeto de pesquisa para desenvolvimento de nanomateriais semicondutores com aplicação em sensoriamento ambiental recebe inscrições até 10 de novembro (foto: CDMF)

 

Agência FAPESP – O Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (CDMF), com sede na Faculdade de Engenharia da Unesp de Guaratinguetá, abriu uma vaga de pós-doutorado na área de sensores de gases à base de óxidos metálicos semicondutores. O CDMF é um Centro de Pesquisa, Inovação e Difusão (CEPID) da FAPESP. O prazo de inscrições termina em 10 de novembro de 2017.

Segundo o pesquisador responsável pelo projeto, o professor Alexandre Zirpoli Simões, a proposta de pesquisa visa ao desenvolvimento de nanomateriais semicondutores para aplicação na área de sensoriamento ambiental, de modo a detectar atmosferas gasosas distintas, com particular interesse em monóxido de carbono.

“No desenvolvimento do projeto, os materiais serão sintetizados em forma de pós e posteriormente depositados como filmes espessos, e estes serão caracterizados quanto às suas estruturas, morfologias e desempenho com relação à propriedade sensorial”, disse.

Exigem-se do candidato: conhecimento na área de síntese de materiais nanoestruturados na forma de pós e filmes; conhecimentos em técnicas de caracterizações elétricas de filmes, tais como Espectroscopia de Impedância Complexa (EIC), simulações com base na Teoria de Densidades Funcionais (DFT), além de medidas elétricas com sonda de duas pontas; experiência nas principais técnicas de caraterização de materiais, como difratometria de raios X, microscopia eletrônica de varredura por emissão de campo, microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução, espectroscopia de ressonância paramagnética eletrônica, espectroscopias no infravermelho e no ultravioleta visível, bem como espectroscopia Raman.

Os interessados pela vaga devem enviar e-mail para o professor Simões (alezipo@yahoo.com), anexando uma carta apresentando seu interesse, curriculum vitae resumido e nomes e e-mails de duas pessoas como referência.

Mais informações sobre as vagas estão disponíveis em www.fapesp.br/oportunidades/1780.

A vaga está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 7.174,80 mensais e Reserva Técnica. A Reserva Técnica de Bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.

Caso o bolsista de PD resida em domicílio diferente e precise se mudar para a cidade onde se localiza a instituição-sede da pesquisa, poderá ter direito a um Auxílio-Instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.fapesp.br/bolsas/pd.

Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em fapesp.br/oportunidades.
 

  Republicar
 

Republicar

A Agência FAPESP licencia notícias via Creative Commons (CC-BY-NC-ND) para que possam ser republicadas gratuitamente e de forma simples por outros veículos digitais ou impressos. A Agência FAPESP deve ser creditada como a fonte do conteúdo que está sendo republicado e o nome do repórter (quando houver) deve ser atribuído. O uso do botão HMTL abaixo permite o atendimento a essas normas, detalhadas na Política de Republicação Digital FAPESP.