Memórias de irídio | AGÊNCIA FAPESP

Estudo indica que metal tem propriedades excelentes para a produção de memórias cada vez mais rápidas para computadores e dispositivos eletrônicos (divulgação)

Memórias de irídio

15 de dezembro de 2010

Agência FAPESP – Um dos metais mais raros na Terra pode ser uma excelente opção para a produção de memórias cada vez mais rápidas para computadores e dispositivos eletrônicos, segundo estudo feito por um grupo de cientistas de Taiwan.

Trata-se do irídio, o elemento químico de número atômico 77, um metal de transição muito resistente à corrosão. É empregado em ligas de alta resistência que podem suportar elevadas temperaturas. Pouco abundante, é encontrado na natureza associado ao ósmio e à platina.

“Ao inserirmos nanocristais de irídio na porta flutuante, uma parte crítica da memória flash, verificamos excelente capacidade de funcionamento bem como estabilidade nas temperaturas elevadas usadas no processamento de tais dispositivos semicondutores”, disse Wen-Shou Tseng, do Instituto de Pesquisa em Tecnologia Industrial de Taiwan, um dos autores do estudo.

Os resultados foram publicados no Applied Physics Letters, periódico do American Institute of Physics. A porta flutuante é um dos tipos de transistores na memória flash, separada da porta de controle por uma camada fina de um óxido.

Os cientistas escolheram o irídio principalmente por duas propriedades muito desejadas na fabricação de memórias eletrônicas. Em primeiro lugar, o metal mantém fortemente seus elétrons, o que é uma propriedade excelente relacionada com a manutenção de informação digital.

Em segundo, tem um ponto de derretimento de cerca de 2.500º C, muito acima dos 900º C que os chips precisam suportar durante a fabricação. Além disso, apesar de ser raro, apenas um bilionésimo de bilionésimo de grama de irídio é necessário para cada porta das memórias.

Muitos países têm investigado novas formas de melhorar a popular memória flash, que é um tipo de chip de memória não volátil usado em praticamente todas as câmeras digitais e eletrônicos portáteis. Recentemente, a memória flash também tem sido aplicada em computadores, como a nova versão do MacBook Air, da Apple.

Segundo o novo estudo, a maneira mais fácil para que as futuras memórias do tipo contenham mais dados e possam gravar e acessar dados mais rapidamente está na diminuição das dimensões dos chips atuais, incluindo das portas de seus transistores.

O problema é que o desenho da porta flutuante atual já evoluiu até um ponto a partir do qual não será possível diminuir muito mais e continuar suportando as cargas elétricas responsáveis pelo armazenamento dos dados.

E é aí que entram os nanocristais de irídio, propostos como uma mudança relativamente simples para melhorar a performance e reduzir o tamanho dos componentes, sem que isso implique alterar fundamentalmente seu desenho atual.

O artigo Formation of iridium nanocrystals with highly thermal stability for the applications of nonvolatile memory with excellent trapping ability (doi:10.1063/1.3498049), de Wen-Shou Tseng e outros, pode ser lido por assinantes da Applied Physics Letters em http://link.aip.org/link/applab/v97/i14/p143507/s1.
 

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